特許

J-GLOBAL ID：200903096363249097

磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果センサ

発明者： 山本 英文 ,  林 一彦 ,  中田 正文 ,  藤方 潤一 ,  石原 邦彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011572
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205234
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果(MR)素子の結晶性や結晶配向性が悪いと、MR素子の抵抗変化率が小さく、MR素子の出力が低下され、かつ耐熱性や耐エレクトロンマイグレーション特性が悪くなる。【解決手段】 MR素子を構成するMR膜3の下値層2が厚みが0.1〜10(nm)でAl,Pt,Be,Cr,Fe,W,Yからなる選ばれた材料で形成され、MR膜3のX線回折測定によるロッキングカーブ半値幅が5°以下となるように構成する。MR素子の結晶性や結晶配向性が改善され、MR素子の抵抗変化率が大きくなり、MR素子の出力が増加され、かつ耐熱性や耐エレクトロンマイグレーション特性が改善される。

請求項（抜粋）：

強磁性磁気抵抗効果膜、強磁性層/非磁性層を繰り返した人工格子磁気抵抗効果膜、および反強磁性層/強磁性層/非磁性層/強磁性層からなる人工格子磁気抵抗効果膜の下地層として、その厚みが0.1〜10(nm)のAl,Pt,Be,Cr,Fe,W,Yからなる選ばれた材料で形成され、かつ前記磁気抵抗効果膜のX線回折測定によるロッキングカーブ半値幅が5°以下となる層を備えることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R