特許
J-GLOBAL ID:200903096367183422
セラミック基板および接合体の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-135483
公開番号(公開出願番号):特開2002-329567
出願日: 2001年05月02日
公開日(公表日): 2002年11月15日
要約:
【要約】【課題】 長期間に渡って反応性ガスやハロゲンガスに曝され続けても、その深部まで腐食されることがなく耐腐食性に優れるとともに、その表面にシリコンウエハ等の被処理物を載置してエッチング等の処理を施しても、その表面からセラミック粒子が脱落し、上記シリコンウエハ等の被処理物に付着してパーティクルが発生することがないセラミック基板を提供する。【解決手段】 その表面または内部に導電体が設けられたセラミック基板であって、上記セラミック基板は、Y2O3からなることを特徴とするセラミック基板。
請求項(抜粋):
その表面または内部に導電体が設けられたセラミック基板であって、前記セラミック基板は、Y2O3からなることを特徴とするセラミック基板。
IPC (8件):
H05B 3/10
, C04B 35/50
, C04B 37/00
, C23C 16/458
, H01L 21/027
, H01L 21/68
, H05B 3/16
, H05B 3/18
FI (10件):
H05B 3/10 C
, C04B 35/50
, C04B 37/00 C
, C23C 16/458
, H01L 21/68 R
, H05B 3/16
, H05B 3/18
, H01L 21/30 503 A
, H01L 21/30 567
, H01L 21/30 541 L
Fターム (36件):
3K092PP20
, 3K092QB03
, 3K092QB08
, 3K092QB18
, 3K092QB44
, 3K092QB45
, 3K092QB68
, 3K092QB74
, 3K092QB76
, 3K092RF03
, 3K092RF11
, 3K092RF17
, 3K092RF22
, 3K092RF27
, 3K092TT30
, 3K092VV09
, 4G026BB02
, 4G026BB16
, 4G026BE03
, 4G026BG02
, 4G026BH06
, 4K030GA02
, 4K030KA23
, 4K030KA46
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA16
, 5F031HA17
, 5F031HA37
, 5F046CC08
, 5F046CC09
, 5F046GA11
, 5F046GA12
, 5F046KA10
, 5F056EA14
前のページに戻る