特許
J-GLOBAL ID：200903096368692673
面発光型半導体発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237061
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094781
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】Al量などの活性層材料の制限を受けることなく波長の短波長化が可能な面発光型半導体発光ダイオードを提供することにある。【構成】本発明は、発光層をInGaAlPとする面発光型半導体発光装置において、発光層に引っ張り歪を導入させ、波長を短波長化する。その際、価電子帯側の重い正孔と軽い正孔の相対位置ずれに伴い、発光ピークが多峰化するが、多重半導体層からなる、波長選択層により所望の発光波長を選択するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板と、この化合物半導体基板上に形成され引っ張り歪の入った発光層と、この発光層に接して形成され前記発光層にキャリアを注入するクラッド層と、前記化合物半導体基板と前記発光層間に形成され前記発光層が発した光を単一の発光ピークに波長選択する手段とを具備することを特徴とする面発光型半導体発光ダイオード。
引用特許：
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