非絶縁DC-DCコンバータ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316820
公開番号（公開出願番号）：特開2002-136111
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】非絶縁DC-DCコンバータを構成するスイッチング素子の駆動に、高価な特殊部品を用いなくても済むようにしコストダウンを図る。【解決手段】スイッチング素子MOSFET2を制御回路6を介してオン,オフ制御することにより、高圧バッテリ1の電圧を降圧して低圧バッテリ7に供給するに当たり、制御回路6からトランス30を介してMOSFET2を駆動する構成にするとともに、トランス30の補助巻線30-20,30-8に入力保護用MOSFET20,出力保護用MOSFET8を接続し、これらをMOSFET2と同時にオンまたはオフさせることにより、各MOSFETを駆動するための高価な部品を不要とし、コストを低減させる。

請求項（抜粋）：

高圧バッテリからの電力を低圧バッテリに供給する非絶縁DC-DCコンバータにおいて、前記高圧バッテリの直流電圧を降圧する第1の半導体スイッチング素子と、この第1の半導体スイッチング素子をオン,オフ制御するとともに、その第1の半導体スイッチング素子の異常と入力端子,出力端子の少なくとも一方の異常とを検出可能な制御手段と、この制御手段からの出力にもとづき前記第1の半導体スイッチング素子を駆動する駆動トランスと、この駆動トランスの補助巻線にそれぞれ接続される入力保護用の第2の半導体スイッチング素子と出力保護用の第3の半導体スイッチング素子の少なくとも一方とを設け、前記第1の半導体スイッチング素子のオン,オフ動作と、入力保護用の第2の半導体スイッチング素子,出力保護用の第3の半導体スイッチング素子の少なくとも一方のオン動作とを同時に行ない、第1の半導体スイッチング素子の異常および入力端子,出力端子の少なくとも一方の異常を検出したときは、前記第1の半導体スイッチング素子と、第2,3の半導体スイッチング素子の少なくとも一方とをオフすることを特徴とする非絶縁DC-DCコンバータ。

IPC (4件)：

H02M 3/155 , F02P 3/08 301 , H02J 7/00 303 , H02J 7/10

FI (4件)：

H02M 3/155 S , F02P 3/08 301 C , H02J 7/00 303 C , H02J 7/10 R

Fターム (33件)：

3G019AB09 , 3G019AC01 , 3G019CB13 , 3G019DA02 , 3G019EB06 , 3G019FA13 , 3G019GA10 , 3G019KD11 , 5G003AA04 , 5G003BA01 , 5G003CA14 , 5G003FA04 , 5G003FA06 , 5G003GB04 , 5H730AA14 , 5H730AA20 , 5H730AS05 , 5H730AS17 , 5H730BB13 , 5H730DD04 , 5H730DD12 , 5H730DD23 , 5H730EE59 , 5H730FD01 , 5H730FD11 , 5H730FD26 , 5H730XX02 , 5H730XX04 , 5H730XX22 , 5H730XX23 , 5H730XX26 , 5H730XX33 , 5H730XX42

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