特許
J-GLOBAL ID：200903096370701639
電子線分析方法と分析装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082399
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月22日
要約：
【要約】【目的】 非破壊で試料の断面構造を解析する。【構成】 電子線部1から電子線2をベアシリコン10上のレジスト膜9が形成された試料に照射する。次に、試料上を走査し、各走査された領域から検出された分析ピークにより、ベアシリコン10とレジスト膜9とから検出されると思われる元素が現われた地点に異物8が存在していることが分かる。このようにして、レジスト膜9中に存在する異物8の位置を求め、異物8の位置に電子線2を照射する。この時、この電子線2の飛程が少なくともレジスト膜9の膜厚より短くなる加速電圧で照射する。この時の分析ピークを検出しておく、次に連続して加速電圧を高くし、少なくとも3回所定の加速電圧時の分析ピークを求める。これらの分析ピークを組み合わせることで異物8の同定を行う。
請求項（抜粋）：
電子線部から第1の電子線を基板上に堆積膜が形成された試料に照射し、前記試料から検出される第1の分析ピークにより前記堆積膜中に存在する異物の位置を求め、前記異物の位置に第2の電子線を照射するにあたり、前記第2の電子線の飛程が少なくとも前記堆積膜の膜厚より短くなる加速電圧で照射し、連続して前記加速電圧を高くし、全部で少なくとも3回所定の前記加速電圧時に、その分析ピークを求め、前記分析ピークを組み合わせることで前記異物の同定を行うことを特徴とする電子線分析方法。
IPC (3件)：
G01N 23/22
, H01J 37/28
, H01L 21/66
