特許

J-GLOBAL ID：200903096373127631

半導体装置のコンタクト及びその形成方法

発明者： 金 載甲
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299803
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099246
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は層間絶縁膜の下側に配置れた導電性パターンを損うことなく、層間絶縁膜の上側に形成された導電性パターンと一部分が重り合うことができる半導体装置のコンタクト及びその形成方法を提供することにある。【構成】 本発明は上側及び下側に導電性パターンを有する層間絶縁膜と、下部導電性パターンが上部導電性パターンに対して露出するように層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを経て前記上側及び下側導電性パターンを電気的に接続するための導電パッドと、前記導電パットが前記上側導電性パターンと部分的に重り合うよう前記上側導電性パターン及び導電パッドに形成されたエッチング防止物質パターンを備える。

請求項（抜粋）：

第1の導電性パターンが形成されている半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記第1導電性パターンを露出させるためのコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記コンタクトホールに形成された導電性パッドと、前記導電性パッド上に、導電性パッドの一部分が露出するよう形成したエッチング防止物質パターンと、前記露出した導電性パッド及び前記エッチング防止物質パターンの一部分と部分的に重り合うよう形成した第2の導電性パターンとを具えることを特徴とする半導体装置のコンタクト。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-117446
  
• 特開平4-065129
  
• 特開昭61-264738
  
• 特開昭63-237551