特許
J-GLOBAL ID：200903096373572856

半導体レーザダイオード

発明者：
品川 達志

品川 達志 について

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岩見 正之

岩見 正之 について

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石井 宏辰

石井 宏辰 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松下 亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-031306
公開番号（公開出願番号）：特開2008-198743
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2008年08月28日
要約：
【課題】へき開で共振器端面を奇麗に形成することができ、青色より長波長の可視光の発光が可能な半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】半導体レーザダイオード10は、ZnO単結晶基板12を用いており、Inを含む窒化物半導体で構成された活性層15を有し、ZnO単結晶基板12の基板面上にレーザ素子構造に積層して形成された半導体層を備え、共振器端面が(1_100)になっている。ZnO単結晶基板12の六方晶の上に半導体層の六方晶が回転することなく、綺麗に重なる。共振器端面が(1_100)面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板12だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も(1_100)面で綺麗に割れる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ZnO単結晶基板を用いた半導体レーザダイオードであって、Inを含む窒化物半導体で構成された活性層を有し、前記ZnO単結晶基板の基板面上にレーザ素子構造に積層して形成された半導体層を備え、共振器端面が(1_100)面或いはこのm面と等価な面になっていることを特徴とする半導体レーザダイオード。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (9件)：
5F173AA08 ,  5F173AA34 ,  5F173AA35 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP05 ,  5F173AP84 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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