特許
J-GLOBAL ID：200903096376987127
半導体歪みセンサ
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255113
公開番号（公開出願番号）：特開平6-109757
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 温度変化や経時的な接合歪みの影響を受けにくく加速度等に応じた歪みを正確に検出することができる半導体歪みセンサを提供することにある。【構成】 台座上にシリコンチップ6の厚肉の第1支持部8が接合されている。又、シリコンチップ6には第1支持部8から延び、かつその根元部分の断面積を小さくした厚肉の第2支持部9が形成されている。つまり、第2支持部9の断面積に対する第2支持部9の根元部分の断面積の比率が0.5以下となっている。さらに、シリコンチップ6には第2支持部9からピエゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部14,15,16が延びている。又、シリコンチップ6の第2支持部9には、第1支持部8と台座7との接合歪みのピエゾ抵抗層への伝播長を長くするための溝11が形成されている。
請求項（抜粋）：
台座上に接合され、半導体基板の一部をなす厚肉の第1支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第1支持部から延び、かつその根元部分の断面積を小さくした厚肉の第2支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第2支持部から延び、かつ、ピエゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部と、前記第2支持部に形成され、半導体基板の第1支持部と前記台座との接合歪みの前記ピエゾ抵抗層への伝播長を長くするための溝とを備えたことを特徴とする半導体歪みセンサ。
IPC (4件)：
G01P 15/09
, G01B 7/18
, G01L 1/22
, H01L 29/84
