特許

J-GLOBAL ID：200903096384546814

半導体装置

発明者： 富吉 和俊 ,  土橋 和夫 ,  井野 茂樹 ,  塩原 利夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-344836
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176548
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【構成】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、硬化物の50°Cから100°Cまでの線膨張係数が2.0×10-5/°C以下、熱伝導率が3.5×10-4cal/cm・sec・°C以上である絶縁樹脂ペーストを用いて半導体素子をリードフレーム上にマウントしたことを特徴とする半導体装置。【効果】 本発明の半導体装置は、その半導体素子が上記絶縁樹脂ペーストでリードフレーム上にマウントされていることにより、耐ハンダクラック性に優れ、高信頼性を有するものである。

請求項（抜粋）：

エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有し、硬化物の50°Cから100°Cまでの線膨張係数が2.0×10-5/°C以下、熱伝導率が3.5×10-4cal/cm・sec・°C以上である絶縁樹脂ペーストを用いて半導体素子をリードフレーム上にマウントしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/52 ,  C08L 63/00 NKT