特許

J-GLOBAL ID：200903096387950098

シリコン半導体基板の熱処理方法

発明者： 森本 信之 ,  足立 尚志 ,  宝来 正隆
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227459
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067781
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 酸素析出物が成長し難い基板に効率よく短時間でDZ-IG処理が可能なシリコン半導体基板の熱処理方法の提供。【解決手段】 シリコン半導体基板の格子間酸素濃度が11〜17×1017(atoms/cm3)のシリコンウェーハを、窒素希釈の酸化性雰囲気内で1100°C以上の高温熱処理を数時間施し、基板表面付近に無欠陥層を形成させたのち、ランプアニール炉等の急速加熱および急速冷却可能な熱処理炉にて、窒素、アルゴン等の非酸化性雰囲気内で高温、短時間の熱処理を行い、その後低温、短時間の核形成熱処理を施すことにより、従来のDZ-IG処理と比較し、処理時間の著しい短縮、および従来のDZ-IG品と同等の品質が得られる。

請求項（抜粋）：

シリコン半導体基板の表層に無欠陥層を形成させる熱処理後に、非酸化性雰囲気内で昇温速度10〜200°C/secで1200°C以上に昇温し、1200°C〜1300°Cに5秒〜300秒保持後に、降温速度10〜200°C/secで冷却後、さらに短時間核形成熱処理を施して、基板内に1×108(cm-3)以上のBMDを得るシリコン半導体基板の熱処理方法。