HEMT素子およびショットキーダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016628
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213937
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 2DEGの閉じ込め効果が高く、かつ、ミスフィット転位が発生しても素子の特性が劣化しないHEMT素子の提供。【解決手段】 GaAs基板10の(100)面に、順メサ方向に延在した、幅Wが10μm、高さHが10μmの凸部12上側に、チャネル層18および電子供給層20を順次に積層しており、このチャネル層18の上側には、凸部12が延在する順メサ方向に沿って、ソース電極24、ゲート電極26およびドレイン電極28が順次に設けられている。ミスフィット転位は、通常、順メサ方向に沿って発生し易いので、電流は、ミスフィット転位の延在する方向と平行に流れることになる。そして、チャネル幅は、互いに隣接するミスフィット転位の発生間隔よりも狭くなっている。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、電子供給層と、当該電子供給層と互いに積層関係にあるチャネル層としてのInGaAs層とを具え、該InGaAs層の上側に、ソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を具えたHEMT素子において、前記InGaAs層を、少なくとも前記電子供給層と該InGaAs層との界面にミスフィット転位が発生する厚さとしてあり、前記界面に生じている前記ミスフィット転位の延在方向に沿って前記ソース電極、前記ゲート電極および前記ドレイン電極を配置したHEMT素子であって、チャネル幅が、互いに隣接するミスフィット転位の発生間隔よりも狭いことを特徴とするHEMT素子。

IPC (5件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/203 , H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 21/203 M , H01L 29/48 F

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