特許
J-GLOBAL ID:200903096400332633

球状または棒状結晶太陽電池およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高山 道夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-187991
公開番号(公開出願番号):特開2000-022184
出願日: 1998年07月03日
公開日(公表日): 2000年01月21日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 安価で高精度、高信頼性の基板で支持体が構成され、球状または棒状の半導体の寸法および基板上への配置工合・密度も自由に規定できる、球状または棒状結晶太陽電池を提供するとともに、その製造方法を提供する。【解決手段】 表面が凹凸状をなすいわゆる逆ピラミッド形状の基板上に球状、棒状の半導体結晶を支持してなる太陽電池構造を採用している。すなわち、球状または棒状の複数の半導体結晶を、周期的な凹凸構造を持つ第一の基板上に配置された構造を持たせ、該第一の基板に構成された周期的な凹凸構造上に第一の導電層を配置し、該第一の導電層に対し、上記球状または棒状の半導体結晶の一部を電気的に接触させ、該第一の導電層と接触した、球状または棒状の半導体結晶の一部とは異なる部分の半導体結晶の一部に電気的に接触した第二の導電層を配置した構成としている。そして、凹凸構造の形状、配列、周期を適宜設定することにより、所望の特性を得ることができるようにしている。
請求項(抜粋):
球状または棒状の複数の半導体結晶が、周期的な凹凸構造を持つ第一の基板上に配置された構造を持ち、該第一の基板に構成された周期的な凹凸構造上に第一の導電層が配置され、該第一の導電層に対し、球状または棒状の半導体結晶の一部が電気的に接触してなり、該第一の導電層と接触した、球状または棒状の半導体結晶の一部とは異なる部分の該半導体結晶の一部が電気的に接触した第二の導電層が配置されてなることを特徴とする球状または棒状結晶太陽電池。
Fターム (8件):
5F051AA02 ,  5F051CB02 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA11 ,  5F051HA01

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