特許
J-GLOBAL ID：200903096401422474
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247819
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106558
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】この発明は、トレンチコ-ナ-部におけるしきい値の低下及び電流集中の発生を防止する。【構成】N型エピタキシャル層15にメッシュ状のトレンチゲ-ト16を設け、トレンチゲ-ト16の相互間にゲ-ト酸化膜を介してボロンによるP型ベ-ス領域17を形成する。前記ゲ-ト酸化膜の側部且つN型エピタキシャル層15の表面にN+ 型ソ-ス領域18を形成し、N+ 型ソ-ス領域18はトレンチゲ-ト16のコ-ナ-16a近傍に形成されない。即ち、コ-ナ-16a 近傍以外のトレンチゲ-ト16の側部且つN型エピタキシャル層15の表面にN+ 型ソ-ス領域18を形成し、このN型エピタキシャル層15、P型ベ-ス領域17、N+ 型ソ-ス領域18及びトレンチゲ-ト16等により縦型MOSトランジスタを構成する。従って、トレンチコ-ナ-部におけるしきい値の低下及び電流集中の発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に設けられた第1導電型の導電層と、前記導電層に設けられ、トレンチライン同士がクロスする部分を有するトレンチゲ-トと、前記トレンチゲ-トの相互間にゲ-ト酸化膜を介して形成され、前記導電層に設けられた第2導電型の領域と、前記第2導電型の領域の表面且つ前記クロスする部分以外の前記トレンチゲ-トの側部に形成された第1導電型の領域と、を具備することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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