特許

J-GLOBAL ID：200903096401875746

アッシング方法

発明者： 門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-013471
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209118
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 有機系低誘電率膜がアッシングされてしまうといった不都合を回避し得る、ドライ処理によるアッシング方法の提供が望まれている。【解決手段】 有機系低誘電率膜3を含んで構成された積層構造の層間絶縁膜5上に、この層間絶縁膜5にコンタクトホール7を形成した後に残ったレジストパターン6をアッシングする。アッシングガスとして、少なくともH2 とN2 とを含む混合ガスを用いる。このアッシングを行うに先立ち、コンタクトホール7内壁面をフルオロカーボンポリマー8で覆っておくのが好ましい。また、アッシングを、アッシングガスとしてO2 を用いた第1アッシング処理と、この第1アッシング処理の後に行う、少なくともH2 とN2 とを含む混合ガスを用いる第2アッシング処理との2ステップで行っててもよい。

請求項（抜粋）：

少なくとも有機系低誘電率膜を含む構成の上に存在するレジストをアッシングする際に、アッシングガスとして、少なくともH2 とN2 とを含む混合ガスを用いることを特徴とするアッシング方法。