半導体装置の作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-193830
公開番号（公開出願番号）：特開2009-296000
出願日： 2009年08月25日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法を提供する。また、層間絶縁膜、平坦化膜、ゲート絶縁膜等の絶縁膜、配線、電極、端子等の導電膜、半導体膜等の半導体素子の各部位の膜を形成する方法を提供する。また、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】ガリウムと亜鉛を含む液滴を吐出して、基板上に膜パターンを形成する。または、印刷法により、基板上にガリウムと亜鉛を含む材料を用いて膜パターンを形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ガリウムと亜鉛を含む液滴を吐出して、基板上に膜パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , B05D 1/26 , H01L 21/321 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 21/288 , G09F 9/30

FI (9件)：

H01L29/78 617M , B05D1/26 Z , H01L21/88 C , H01L29/58 G , H01L21/28 301R , H01L21/288 Z , H01L29/78 617J , H01L29/78 619A , G09F9/30 338

Fターム (191件)：

4D075AC07 , 4D075BB21Z , 4D075BB56Z , 4D075BB85Z , 4D075CA22 , 4D075DA06 , 4D075DB04 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DB31 , 4D075EC10 , 4M104AA01 , 4M104AA02 , 4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB35 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD33 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD52 , 4M104DD63 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE17 , 4M104EE18 , 4M104GG02 , 4M104GG05 , 4M104GG09 , 4M104GG19 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA31 , 5C094BA43 , 5C094BA64 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EA10 , 5C094FB02 , 5C094FB04 , 5C094FB12 , 5C094GB10 , 5C094JA20 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH00 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH05 , 5F033HH07 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033HH35 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033PP27 , 5F033QQ01 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ29 , 5F033QQ54 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ96 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR14 , 5F033RR15 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS07 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033SS21 , 5F033SS27 , 5F033VV09 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033VV16 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE12 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE47 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ15 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK39 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110NN02

引用特許：

審査官引用 (9件)

透明導電膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-082875 出願人：シャープ株式会社
反射率検出用素子、シート状画像入力装置及びシート状画像入力方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140097 出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-086175 出願人：ミノルタ株式会社

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