特許

J-GLOBAL ID：200903096403158928

メモリモジユール

発明者： 高木 祐一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190374
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036923
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】メモリモジュールの高速制御時における耐ノイズ特性を改善することを目的とする。【構成】複数のメモリ素子3の、第1の電源用ライン11及び接地用ライン12と並列に接続した第2の電源用ライン21と接地用ライン22の各電極端子23、24を、それらのメモリ素子3を駆動した場合に積層基板2の第1の電源用ライン11及び接地用ライン12に生ずる電位分布の振幅の最大の箇所の前記積層基板2の板面に設けたことを特徴とする。【効果】耐ノイズ特性が向上し、安定した動作を行わせることができる。

請求項（抜粋）：

積層基板の一側縁に電極を配列し、該積層基板の板面に複数のメモリ素子をマウントしたメモリモジュールにおいて、該メモリ素子の信号用ラインの電極は該積層基板の一側縁に配列し、第1の電源用ライン及び第1の接地用ラインと並列に接続した第2の電源用ライン及び第2の接地用ラインの各電極端子を、前記メモリ素子を駆動した場合に前記積層基板の第1の電源用ライン及び第1の接地用ラインに生ずる電位分布の振幅が最大になる箇所、或いはその極近傍の前記積層基板の板面に設けたことを特徴とするメモリモジュール。