特許

J-GLOBAL ID：200903096411478893

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 神山 栄治 ,  府瀬川 和宏 ,  富山 能省
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121530
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064802
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】 炭化珪素に対してコンタクト抵抗の小さい電極を有するSiC半導体装置及びその製法を提供する。ゲート電極材と電極配線との反応を抑制する。【構成】 p型のSiC基板11のn型のソース領域12及びドレイン領域13上にTiN,ZrN,HfN,VN又はTaNのいずれかからなる金属窒化物製の電極16a及び16bをそれぞれ形成する。金属窒化物製の電極16a,16bが接触する領域12,13の表層部に窒素リッチ層12a,13aを形成する。この窒素リッチ層により電極のコンタクト抵抗を小さくする。Moのゲート電極15とAlの電極配線17cとの間にTiN,ZrN,HfN,VN又はTaNのいずれかからなる金属窒化物層16cを介在させ、これらの反応を抑制する。

請求項（抜粋）：

n型の炭化珪素領域(12,13)又はn型の炭化珪素基板(21)と、前記炭化珪素領域(12,13)又は炭化珪素基板(21)上に形成されたTiN,ZrN,HfN,VN又はTaNのいずれかからなる金属窒化物製の電極(16a,16b又は26a,26b)とを備えた炭化珪素半導体装置であって、前記金属窒化物製の電極(16a,16b又は26a,26b)が接触する前記炭化珪素領域(12,13)又は炭化珪素基板(21)の表層部に窒素リッチ層(12a,13a又は22a,23b)が形成されたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/43 ,  H01L 29/78 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 29/46 F ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/78 301 B