特許
J-GLOBAL ID：200903096413065073
電界放出デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
脇 篤夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071549
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268703
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 電界放出デバイスのエミッション低下を防止する。【解決手段】 電界放出カソードが形成されているカソード側基板12と、電子放出方向に所定間隔をおいて配置されアノード側基板11を備えている電界放出デバイスにおいて、電界放出素子が抵抗層13の上方に成膜された絶縁層14のホール内に形成したエミッタ16と、このエミッタ16の先端部分の周辺部に配置されているゲート電極層17と、さらにこのゲート電極層の周辺部に配置されているゲッタ作用を有する導電性の金属層18によって構成される。上記金属層18はエミッタ16の電位、またはその電位以下となるようにバイアスされることによって、真空容器内で発生する2次電子を効率的に吸収し、また、電子の衝突によって叩き出される不純物やイオン粒子を金属層18によって吸着することにより、エミッタ部分を保護すると共に、チップレスの真空容器内を高い真空度に保つ。
請求項（抜粋）：
第1の基板に形成されている電界放出素子と、前記第1の基板に対向するように配置されている第2の基板に形成されている陽極を所定の間隔で保持し、内部を真空状態とした電界放出デバイスにおいて、上記電界放出素子は絶縁層のホール内に蒸着堆積されたコーン状のエミッタと、該コーン状のエミッタの先端を囲むように上記絶縁層の表面に形成されているゲート電極層によって構成し、かつ、上記絶縁層の表面に上記ゲート電極層の周辺を囲むようにゲッタ作用を有する導電性の金属層を配置し、該金属層が上記エミッタの電位となるようにバイアスされていることを特徴とする電界放出デバイス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5C035AA04
, 5C035AA20
, 5C035JJ10
, 5C035JJ11
