特許

J-GLOBAL ID：200903096414478770

シリコンと窒素を主成分とする発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子

発明者： 水嶋 一樹 ,  山口 健志 ,  佐々 紘一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-077188
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273450
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板上に作製可能であって、発光効率が高く、発光減衰速度の速い発光材料及びこれを用いた発光素子を安価に製造する。【解決手段】 シリコンと窒素を主成分とし、アモルファス構造を有する発光材料であって、Si3N4を構成するシリコンの化学量論的理論量よりもシリコンの組成比が大きく、2.2eV近傍で発光ピークを持つ発光材料である。この発光材料が基板11上に発光層12として形成されることにより発光素子10が構成される。Si3N4は、シラン(SiH4)とアンモニア(NH3)を原料ガスとして化学気相堆積法により、600〜1400°Cで基板上に堆積する。

請求項（抜粋）：

シリコンと窒素を主成分とし、アモルファス構造を有する発光材料であって、Si3N4を構成するシリコンの化学量論的理論量よりもシリコンの組成比が大きく、発光強度が2.2eV近傍でピークを持つことを特徴とするシリコンと窒素を主成分とする発光材料。

IPC (7件)：

C09K 11/59 ,  C01B 21/068 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/08 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00

FI (7件)：

C09K 11/59 ,  C01B 21/068 Z ,  C09K 11/00 B ,  C09K 11/02 A ,  C09K 11/08 A ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 A

Fターム (17件)：

4H001CA07 ,  4H001CF01 ,  4H001XA07 ,  4H001XA14 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  5F041AA11 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA64 ,  5F041FF14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-080706
  
• 特開昭47-027899