特許

J-GLOBAL ID：200903096418889511

GaP系発光素子基板及びその製造方法

発明者： 大滝 紀夫 ,  中村 秋夫 ,  田村 雄輝 ,  柳澤 宗久 ,  樋口 晋
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-285265
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120561
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 高発光出力が得られるGaP系発光素子基板を得る。【構成】 n型GaP単結晶基板上にn型GaPバッファ層を形成してなる多層GaP基板上にさらにn型GaP層、窒素ドープn型GaP層及びp型GaP層を順次積層してなるGaP系発光素子基板において、前記n型GaPバッファ層中の硫黄(S)濃度を5×1016[atoms/cc]以下とする。また、その製造方法は、n型GaP単結晶基板上にn型GaPバッファ層を形成してなる多層GaP基板を作製し、次に前記多層GaP基板上にn型GaP層、窒素ドープn型GaP層及びp型GaP層をメルトバック法により順次積層してGaP系発光素子基板を製造する方法において、前記n型GaPバッファ層中のS濃度を5×1016[atoms/cc]以下になるように多層GaP基板を作製する。

請求項（抜粋）：

n型GaP単結晶基板上にn型GaPバッファ層を形成してなる多層GaP基板上にさらにn型GaP層、窒素ドープn型GaP層及びp型GaP層を順次積層してなるGaP系発光素子基板において、前記n型GaPバッファ層中の硫黄(S)濃度が5×1016[atoms/cc]以下であることを特徴とするGaP系発光素子基板。