特許

J-GLOBAL ID：200903096420550114

薄膜の形成方法

発明者： 吉岡 達男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-093562
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284250
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】光を照射された際にも電荷の発生を低減することができ、リーク成分の少ない薄膜トランジスタの作製ができるポリシリコン薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】透光性絶縁基板101の表面上に絶縁膜102を堆積し、前記絶縁膜上と透光性絶縁基板の裏面の両面に非晶質シリコン薄膜103a,103bを堆積し、前記絶縁膜上の非晶質シリコン薄膜を島状に形成し、前記島状に形成された非晶質シリコン薄膜にレーザー光106を照射してポリシリコン薄膜104a,104bを形成する。減圧(LP)-CVD法により非晶質シリコン薄膜をガラス基板上に堆積することによりガラス基板両面に一度に非晶質シリコン薄膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板の表面上に絶縁膜を堆積し、前記絶縁膜上と透光性絶縁基板の裏面の両面に非晶質シリコン薄膜を堆積し、前記絶縁膜上の非晶質シリコン薄膜を島状に形成し、前記島状に形成された非晶質シリコン薄膜にレーザー光を照射してポリシリコン薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (17件)：

5F052AA02 ,  5F052BA00 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052FA22 ,  5F052JA01 ,  5F110AA06 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG47 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP11 ,  5F110PP31