フォトレジストの除去方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-540535
公開番号（公開出願番号）：特表2001-517365
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】基板表面からの有機材料、特に硬化されたフォトレジストの除去に関する新規方法を開示する。少なくとも二回の処理サイクルを使用して有機材料の層を除去し、それぞれの処理サイクルは以下の段階:a)酸含有組成物、所望により酸化剤と混合されたものを基板表面に適用すること、および次いでb)基板表面に水を適用することを含む。本発明の本方法は、繰り返し処理を行わない慣用のフォトレジスト除去方法により得られるものより高い温度スパイク、短い加工時間および低い試薬用量を特徴とする。噴霧加工装置により本発明の方法を実用し得る。

請求項（抜粋）：

基板表面から有機材料を除去する方法であって、それぞれの処理が以下の段階:a)基板表面上に液体強酸含有組成物を噴霧すること;および、次いでb)基板表面上に水を噴霧すること;からなる連続処理を少なくとも二回基板に施すことからなり、上記処理は有機材料が基板表面から除去されるまで連続的に続けられ、ここで上記処理の少なくとも一回において、基板に適用する酸含有組成物がペルオキシド化合物、ペルスルフェート化合物およびオゾンを含まない方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/306 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/304 643 A , G03F 7/42 , H01L 21/306 R , H01L 21/30 572 B

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