特許
J-GLOBAL ID：200903096433376750
基体支持機構およびこれを用いた基体処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294502
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136253
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 被処理基体表面近傍の電界強度分布を均一化し、また処理時の昇温ムラを是正することにより、基体上を高度に均一とするエッチングを行うことおよび高度に膜質および膜厚が均一であり、大面積化された堆積膜を形成することのできる基体処理装置を実現すること。【構成】 基体処理装置にて基体を載置するために用いられる基体支持機構であって、前記基体との対向面の厚さが中心から外周に向かって単調に増加する凹形状の導電性構造体と、前記導電性構造体と組み合わされて前記基体を載置する誘電体とから構成されており、前記誘電体は、前記導電性構造体との組み合せ面が導電性構造体の凹形状に良好に密着するような凸形状に形成され、基体載置面は平坦に形成されている。
請求項（抜粋）：
基体処理装置にて基体を載置するために用いられる基体支持機構であって、前記基体との対向面の厚さが中心から外周に向かって単調に増加する凹形状の導電性構造体と、前記導電性構造体と組み合わされて前記基体を載置する誘電体とから構成されており、前記誘電体は、前記導電性構造体との組み合せ面が導電性構造体の凹形状に良好に密着するような凸形状に形成され、基体載置面は平坦に形成されていることを特徴とする基体支持機構。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, G11B 7/26
, H01L 21/203
, H01L 21/302
