特許

J-GLOBAL ID：200903096439279012

半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法

発明者： 吉川 博志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256968
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306839
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 1台のパルスレーザによって半導体を溶融させ、その後の結晶化時の凝固速度を遅くすることができ、薄膜トランジスタ用半導体膜の結晶化工程に用いて好適な半導体の溶融結晶化方法を提供するとともに、半導体の結晶性を損なうことなく、トランジスタ特性の悪化を回避できる半導体の不純物活性化方法を提供する。【解決手段】 1台のパルスレーザによる半導体の溶融結晶化方法において、パルス半値幅Δtを制御することによって、パルスの立ち上がり、または立ち下がりの傾きm1,m2を時間的に制御する。また、半導体の温度が高くなりすぎないように1パルスのパルス強度を制御する。同様に、パルスレーザを用いる不純物活性化方法において、パルス半値幅Δt並びにパルス強度を制御する。

請求項（抜粋）：

パルスレーザによる半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法において、パルスの立ち下がり、または立ち上がりの傾きもしくは形状を時間的に制御することを特徴とする半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 G