半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168560
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167717
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】電極部の低抵抗化のための導電膜の形成に利用される、ゲート電極からせりだした形状のサイドウォールを有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】ゲート電極となる多結晶シリコン105上にリンを含有した物質107を設けて電極部を形成し、電極部を含む基板全面にリンを含有しない絶縁物を設け、エッチング工程によりサイドウォール110を形成する。その後、フッ酸を含むエッチング材により電極部のリンを含有した物質107のみを選択的に除去し、電極部の多結晶シリコン105よりもせりだした形状のサイドウォールを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート電極膜とこのゲート電極膜上に形成されたリンを含有する第1の絶縁膜とを選択的に設ける工程と、全面にリンを含有しない第2の絶縁膜を形成しエッチバックして前記ゲート電極膜および前記第1の絶縁膜の側壁にサイドウォール絶縁膜を形成する工程と、フッ酸を含むエッチング材により前記第1の絶縁膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭62-122173
特開昭58-154270
特開平3-288443

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