特許

J-GLOBAL ID：200903096440488377

露光用マスクとパターン形成方法

発明者： 宮崎 秀也 ,  佐藤 寛幸 ,  伊藤 信一 ,  井上 壮一 ,  田中 聡 ,  橋本 耕治 ,  川野 健二 ,  岩松 孝行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-108700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-134392
出願日： 1994年05月23日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 露光光に対する膜表面での反射率を小さくすることができ、解像度コントラストの向上に寄与し得る露光用マスクを提供すること。【構成】 透明基板100上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域を形成し、半透明な領域を通過する光と透明な領域を通過する光との位相差及び半透明な領域の透過率が所望値を満足するように構成された露光用マスクにおいて、半透明な領域はSiNx からなる半透明膜101とSiO2 からなる反射低減化層102を積層して形成され、これらの積層部を透過した光が透明な領域を透過した光に対し180度の位相差を持ち、かつ積層部の露光光に対する反射率が半透明膜101を単独で用いた場合よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明な領域を有し、半透明な領域を通過する光と透明な領域を通過する光との位相差及び半透明な領域の透過率が所望値を満足するように構成された露光用マスクにおいて、前記半透明な領域は半透明膜と反射低減化層を積層して形成され、これらの積層部を透過した光が前記透明な領域を透過した光に対し実質的に180度前後の位相差を持ち、且つ該積層部の露光光に対する反射率が半透明膜を単独で用いた場合よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする露光用マスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-162039