特許
J-GLOBAL ID：200903096441801630
半導体チップの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
亀谷 美明
, 金本 哲男
, 萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-112861
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319829
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】半導体ウェハ裏面に貼り付けられた接着フィルムと,半導体ウェハをともに切断して,接着フィルム付き半導体チップを製造可能な方法を提供すること。【解決手段】半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付け;半導体ウェハの裏面を研削し;エラストマー樹脂からなる粘着層を有するダイシングテープに,エラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付け;ダイシングテープを裏面側から真空吸着しながら,半導体ウェハの裏面を接着フィルムに押圧して貼り付け;真空吸着を行いながら,半導体ウェハの表面から保護テープを剥離し;真空吸着を行いながら,半導体ウェハと接着フィルムとをダイシングして,接着フィルム付き半導体チップに分割し;真空吸着を解除して,ダイシングテープの表面から接着フィルム付き半導体チップをピックアップする;ことを特徴とする,半導体チップの製造方法が提供される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの表面に保護テープを貼り付ける,第1の工程と;
前記半導体ウェハの裏面を研削する,第2の工程と;
少なくともエラストマー樹脂からなる粘着層を表面側に有するダイシングテープの表面に,少なくともエラストマー樹脂からなる接着フィルムを貼り付ける,第3の工程と;
前記ダイシングテープを裏面側から真空吸着しながら,前記半導体ウェハの裏面を,前記ダイシングテープの表面に貼り付けられた前記接着フィルムに押圧して貼り付ける,第4の工程と;
前記真空吸着を行いながら,前記半導体ウェハの表面から前記保護テープを剥離する,第5の工程と;
前記真空吸着を行いながら,前記半導体ウェハと,前記半導体ウェハの裏面に貼り付けられた前記接着フィルムとをダイシングして,接着フィルム付き半導体チップに分割する,第6の工程と;
前記真空吸着を解除して,前記ダイシングテープの表面から前記接着フィルム付き半導体チップをピックアップする,第7の工程と;
を含むことを特徴とする,半導体チップの製造方法。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L21/78 Q
, H01L21/78 F
, H01L21/78 M
, H01L21/78 Y
