特許

J-GLOBAL ID：200903096442429726

半導体センサ製造方法

発明者： 江刺 正喜
出願人/特許権者： 株式会社 東北テクノアーチ
代理人 (1件)： 重信 和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291211
公開番号（公開出願番号）：特開2001-113499
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりのよい半導体センサの製造方法の提供【解決手段】 上下2層のシリコンからなる基材層30、34とそれらの間に介在された中間膜32から構成された3層構造のものである。中間膜32としては、SiO2膜とSi-B-O膜の積層体が用いられる。上のシリコン基材層30を所望のパターンでエッチングして、構造体38を形成する。次に、上のシリコン基材層をパターンに用いて中間膜32をエッチングする。基材層30の上からガラス基板40を陽極接合することで取り付ける。構造体38中に穴を設けることにより、中間膜32に対するエッチングの実効幅を小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

2層の基材層間に中間膜を介在させてなるウェハを用いた半導体センサの製造方法であって、前記一方の基材層を所望のパターンを有するマスクを用いてエッチングすることで、前記一方の基材層からセンサの構造体を形成し、次に中間膜のエッチングを行なって、前記構造体の下部側に位置する前記中間膜の一部を除去し、前記エッチングを行った基材層にガラスを陽極接合するとともに、前記形成される構造体中に穴を設けることにより、前記中間膜のエッチングに対する構造体の実効的横幅を小さくすることを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (4件)：

B81C 1/00 ,  G01P 15/125 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

B81C 1/00 ,  G01P 15/125 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/306 D

Fターム (9件)：

5F004DA16 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA29 ,  5F004EB08 ,  5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043FF02 ,  5F043GG10