特許

J-GLOBAL ID：200903096448788043

半導体スイッチ

発明者： 泉 雅裕 ,  秋山 茂夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360304
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195972
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 出力用MOSFETのドレインソース間のインピーダンス状態が変化するのに時間がかからないようにする。【解決手段】 入力された制御信号の位相を変換するインバータ3 と、入力された順逆両相の制御信号を出力側へそれぞれ伝えるためのコンデンサ1,2 と、コンデンサ1,2 と共に倍電圧整流回路30をなすダイオード4,5,6 と、制御信号が倍電圧整流回路30を介してゲートソース間に印加して充電されるとドレインソース間が低インピーダンス状態又は高インピーダンス状態へと変化する出力用MOSFET8,9 と、出力用MOSFET8,9 のゲートソース間に充電された電荷を放電する放電回路10と、を備えた半導体スイッチにおいて、ドレインソース間の位相とは逆位相の制御信号がゲートに入力されるとドレインソース間が低インピーダンス状態へ変化可能なスイッチング用MOSFET7 が、コンデンサ1,2 と出力用MOSFET8,9 のゲート又はソースの少なくとも一方との間に接続された構成にしてある。

請求項（抜粋）：

入力された制御信号の位相を変換するインバータと、入力された順逆両相の制御信号を出力側へそれぞれ伝えるためのコンデンサと、コンデンサと共に倍電圧整流回路をなすダイオードと、制御信号が倍電圧整流回路を介してゲートソース間に印加して充電されるとドレインソース間が低インピーダンス状態又は高インピーダンス状態へと変化する出力用MOSFETと、出力用MOSFETのゲートソース間に充電された電荷を放電する放電回路と、を備えた半導体スイッチにおいて、ドレインソース間の位相とは逆位相の前記制御信号がゲートに入力されるとドレインソース間が低インピーダンス状態へ変化可能なスイッチング用MOSFETが、前記コンデンサと前記出力用MOSFETのゲート又はソースの少なくとも一方との間に接続されたことを特徴とする半導体スイッチ。