特許
J-GLOBAL ID：200903096448792288

発光装置、画像形成装置、表示装置および電子機器

発明者：
小林 英和

小林 英和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168402
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335347
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：
【課題】トップエミッション型の発光装置において、発光スペクトルの狭帯域化または出射光量の増大を達成する。【解決手段】基板11と、基板11上に形成され、光を反射する光反射層13と、光反射層13上に形成され、光を透過させる透明電極14と、透明電極14上に形成され、発光する発光層15と、発光層15上に形成され、発光層15からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する半反射電極16と、半反射電極16上に形成され、半反射電極16からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する導電性半反射層17とを備える。半反射電極16は仕事関数が4エレクトロンボルト以下であり、導電性半反射層17は光の反射率が半反射電極16よりも高い金属材料(例えば銀)から形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成され、光を反射する光反射層と、 前記光反射層上に形成され、光を透過させる第1電極と、 前記第1電極上に形成され、発光する発光層と、 前記発光層上に形成され、前記発光層からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する第2電極と、 前記第2電極上に形成され、前記第2電極からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する導電性半反射層とを備え、 前記第2電極は仕事関数が4エレクトロンボルト以下であり、 前記導電性半反射層は光の反射率が前記第2電極よりも高い金属材料から形成されている、 ことを特徴とする発光装置。
IPC (5件)：
H05B 33/24 ,  H01L 51/50 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455
FI (3件)：
H05B33/24 ,  H05B33/14 A ,  B41J3/21 L
Fターム (15件)：
2C162AH23 ,  2C162FA16 ,  2C162FA23 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB04 ,  3K107CC02 ,  3K107CC07 ,  3K107DD03 ,  3K107DD27 ,  3K107DD28 ,  3K107DD29 ,  3K107DD44Y ,  3K107EE33 ,  3K107FF19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3274527号公報
審査官引用 (6件)
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