特許

J-GLOBAL ID：200903096455160904

半導体鏡面ウェハおよびその製造方法

発明者： 山 本 博 昭 ,  石 井 明 洋 ,  井 村 好 一
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 衞藤 彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-298043
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135474
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 裏面が略鏡面でしかも表裏面を識別できる半導体鏡面ウェハであって、パーティクルの残存や金属汚染が防止された半導体鏡面ウェハ、およびその半導体鏡面ウェハを生産性よく製造できる製造方法を提供する。【解決手段】 半導体インゴットを切断してウェハを得る。スライスされたウェハの外周部を面取りする。面取りされたウェハの表裏面をラッピングにより平坦化する。ラッピングされたウェハの表裏面をそれぞれスピンエッチングする。このスピンエッチングにより得られる裏面の光沢度を130〜300%とする。表裏面をスピンエッチングされたウェハのおもて面を研磨して鏡面を得る。

請求項（抜粋）：

おもて面が鏡面であって、裏面の光沢度が酸エッチにより130〜300%に調整された面であることを特徴とする半導体鏡面ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321

FI (4件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/306 M