多重量子井戸半導体光デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-197078
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022573
出願日： 1996年07月08日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】偏波変調レーザや偏波無依存増幅器などの活性層として最適な井戸幅、井戸数を用いることができる構成を有する半導体デバイスである。【解決手段】量子井戸層を、2原子層以下のInAs層3、5、7、及びこの層を挟み且つ基板より格子定数の小さい半導体層2、4、6、8で構成する。この量子井戸層を均一組成層と見なしたときの格子定数を基板の格子定数より小さくする。これで、TM利得を得る半導体デバイスが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された多重量子井戸構造を活性層とする半導体デバイスにおいて、少なくとも1つの量子井戸層が、2原子層以下のInAs層とこの層を挟み且つ該基板より格子定数の小さい半導体層で構成されており、且つ、この量子井戸層を均一組成層と見なしたときの格子定数が基板の格子定数より小さいことを特徴とする半導体光デバイス。

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