特許

J-GLOBAL ID：200903096457218330

半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者： 大津 良孝 ,  村岡 俊一 ,  中村 正
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-318001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163166
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体層の粗面化の制御を簡易かつ確実に行える半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】 シリコン基板200上の酸化膜201は、弗酸を含む水滴と、フォトレジストとを用いる処理によって、表面の一部に窪みが形成されている。下層ポリシリコン電極203a及び誘電体膜204aは、酸化膜201の表面のうち窪みが形成された部分に堆積されたものであり、酸化膜201の窪みに応じて凹凸を表面に有しており粗面化されている。一方、酸化膜201の表面のうち窪みが形成されていない平滑な部分に堆積され形成された下層ポリシリコン電極203b及び誘電体膜204bは、凹凸を有さない平坦な断面の形状を有している。下層ポリシリコン電極203a、誘電体膜204a及び上層ポリシリコン電極205aによって、粗面キャパシタが構成されている。この粗面キャパシタの容量は、占有面積に対して大きい。

請求項（抜粋）：

(a)表面上のエッチング液滴によって半導体酸化膜を部分的に除去する工程と、(b)前記半導体酸化膜を利用することによって、これに接触している、表面が粗面化されている半導体層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/306 D ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z