特許
J-GLOBAL ID：200903096463244645
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-149013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069192
出願日： 1991年06月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体装置の製造工程における凹凸のある基板表面の平坦化に用いられる膜の形成方法に関し、膜質を劣化させることなく、更に低温処理で膜の平坦化を可能とする半導体装置の製造方法の提供を目的とするものである。【構成】凹凸のある基板表面上にBPSG又はPSGからなる膜を堆積する工程と、前記膜を大気に曝すことなく、前記膜の上にSiO2膜を堆積するか、又は前記膜に含まれるリン濃度又はボロン濃度よりも低い濃度のBPSG又はPSGからなる膜、又はSiO2膜を堆積する工程と、熱処理を施してこれらの膜を融解・流動させて平坦化する工程とを有することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
凹凸のある基板表面上にBPSG又はPSGからなる膜を堆積する工程と、前記膜を大気に曝すことなく、前記膜の上にSiO2膜を堆積するか、又は前記膜に含まれるリン濃度又はボロン濃度よりも低い濃度のBPSG又はPSGからなる膜を堆積する工程と、熱処理を施してこれらの膜を融解・流動させて平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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