特許
J-GLOBAL ID：200903096466553118
磁気抵抗効果素子、磁気記録素子およびこれらを利用した装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小川 勝男
, 田中 恭助
, 佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-324874
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158750
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：
【課題】2つの強磁性層に絶縁層を挿入した強磁性トンネル接合利用した磁気抵抗効果素子が提案され、磁気ヘッドや磁気抵抗効果メモリへの応用の可能性が高まっているが、より大きい磁気抵抗変化率が望まれている。【解決手段】第1の強磁性層/絶縁体層/第2の強磁性層が積層された強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗素子であって、前記第1および第2の強磁性層の少なくとも一方は、ハーフメタリック強磁性体であり、かつフェルミエネルギー近傍で金属的なバンドを有する一方のスピンは、フェルミエネルギーよりエネルギーの高い位置にギャップを有し、かつ他方のスピンは同位置で金属的バンドを有する電子構造の物質からなる多層膜構造とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1の強磁性層/絶縁体層/第2の強磁性層が積層された強磁性トンネル接合を有する磁気抵抗素子であって、前記第1および第2の強磁性層の少なくとも一方は、ハーフメタリック強磁性体であり、かつフェルミエネルギー近傍で金属的なバンドを有する一方のスピンは、フェルミエネルギーよりエネルギーの高い位置にギャップを有し、かつ他方のスピンは同位置で金属的バンドを有する電子構造の物質からなる多層膜構造を特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA05
, 5D034CA08
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA60
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083LA04
, 5F083LA05
