特許

J-GLOBAL ID：200903096473582743

半導体装置

発明者： 工藤 興一 ,  門西 裕 ,  樋口 泰之
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136704
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335598
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 順方向バイアスに対しては立上り電圧を殆ど0Vにでき、逆方向バイアスに対してはリークの少ない逆耐圧特性を有するダイオードを提供する。【構成】 半導体基板にMOSトランジスタの構造を形成し、ゲート電極6をソース電極7またはドレイン電極8と接続し、半導体基板1を独立の基板電極10としてゲート電極6に印加された電圧に応じてチャネル領域4を導通、非導通にし、ソース電極7、ドレイン電極8間にダイオード作用をさせる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層に第2導電型のソース領域とドレイン領域がチャネル領域を介して形成され、該チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極がソース電極またはドレイン電極の一方と接続されてダイオードの一端子とされ、他のソース電極またはドレイン電極がダイオードの他方の端子とされると共に、前記第1導電型の半導体層は前記ソース領域およびドレイン領域から独立した電位とされうる構造のMOS型ダイオードを有する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/86 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-178610
  
• 特開昭63-205946
  
• 特開平3-136376
  
• 特開昭58-136376