特許
J-GLOBAL ID：200903096473875031
薄膜磁気ヘッドの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-044533
出願日： 1991年10月09日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 薄膜磁気ヘッドを製造する上で半導体フォトリソグラフィ-を用いるので高精度に磁極部の位置合わせをおこない、その後、エッチング技術で磁極部の分離を行うので切断及び磁極の追い込み研磨を必要としない方法。【構成】 本発明は、薄膜ヘッド用基板として単結晶材料を使用し、この単結晶基板上に形成された薄膜永久磁石4bをエッチングして、磁極部4aを形成する工程(図2(b))と磁極部と位置合わせを行い、単結晶基板を異方性エッチングして磁極部を分離する工程(図2(c))を含むことを特徴とする。【効果】 本発明の方法によれば、従来の薄膜ヘッドの製造で行われる切断及び磁極の追い込み研磨を行う必要がなく、高精度に磁極部の位置合わせを行うことが出来る。そして、大量生産が可能である。
請求項（抜粋）：
薄膜磁気ヘッド用基板として単結晶材料を使用し、この単結晶基板上に形成された磁性体薄膜をエッチングして、磁極部を形成する工程Aと磁極部と位置合わせをおこない、上記単結晶基板を異方性エッチングして磁極部を分離する工程Bとを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
IPC (2件)：
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