特許

J-GLOBAL ID：200903096474087479

磁性薄膜メモリ

発明者： 大土井 雄三 ,  深見 達也 ,  田口 元久 ,  小林 浩 ,  田辺 信二 ,  堤 和彦 ,  柴田 浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028748
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 磁化膜の磁化の向きによって情報を記録する磁性薄膜メモリにおいて、情報を読み出す手段として垂直磁気異方性を有する磁化膜の磁気抵抗効果を利用した新規な構成の記録密度の高い磁性薄膜メモリをうる。【構成】 垂直磁気異方性を有する磁化膜を記録用磁化膜とし、または記録用磁化膜に近接して垂直磁気異方性を有する磁化膜を配置し、垂直磁気異方性を有する磁化膜の磁気抵抗効果を利用して情報読み出し手段とする構成とした。

請求項（抜粋）：

垂直磁気異方性を有する磁化膜の磁化の向きによって情報を記録する磁性薄膜メモリにおいて、記録した情報を読み出す手段として前記磁化膜の磁気抵抗効果を利用することを特徴とする磁性薄膜メモリ。