特許
J-GLOBAL ID:200903096476409074
圧電体素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高橋 祥泰 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-114279
公開番号(公開出願番号):特開2002-314156
出願日: 2001年04月12日
公開日(公表日): 2002年10月25日
要約:
【要約】【課題】 製造過程における変形の発生を抑制することができる構造を有する圧電体素子を提供すること。【解決手段】 圧電セラミックスよりなるセラミック層11と,卑金属を主成分とすると共にセラミック層11に電気を供給する内部電極層2とを交互に積層してなる駆動部101と,駆動部101におけるセラミック層11の積層方向の少なくとも一方の端面に配設されたダミー部103とを有する。ダミー部103は,セラミックスより構成されていると共に,内部電極層2と同材質のダミー電極層3を少なくとも一層有している。
請求項(抜粋):
圧電セラミックスよりなるセラミック層と,卑金属を主成分とすると共に上記セラミック層に電気を供給する内部電極層とを交互に積層してなる駆動部と,該駆動部における上記セラミック層の積層方向の少なくとも一方の端面に配設されたダミー部とを有し,該ダミー部は,セラミックスより構成されていると共に,上記内部電極層と同材質のダミー電極層を少なくとも一層有していることを特徴とする圧電体素子。
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