特許
J-GLOBAL ID:200903096479703437

磁気特性及び被膜特性に優れる方向性けい素鋼板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-213726
公開番号(公開出願番号):特開平10-060533
出願日: 1996年08月13日
公開日(公表日): 1998年03月03日
要約:
【要約】【課題】 コイルの全幅及び全長にわたって、磁気特性が良好であり、かつ欠陥のない均一で密着性の優れたフォルステライト質絶縁被膜を有する方向性けい素鋼板を安定して得る。【解決手段】 脱炭焼鈍前の鋼板表面に脱珪層を形成させ、この脱珪層につき板厚中心部のSi濃度に対するSi濃度の比を、最終冷延板の状態で鋼板表面から厚み方向1μm までの領域では0.90以下に、かつ該Si濃度の比が0.98以下である領域を表面から厚み方向5μm までに調整する。かつ、脱炭焼鈍を、その均熱過程における水素分圧に対する水蒸気分圧の比を0.70未満で、かつ昇温過程における水素分圧に対する水蒸気分圧の比を前記の均熱過程よりも低い値で行う。
請求項(抜粋):
方向性けい素鋼用スラブを熱間圧延した後、熱延板焼鈍を施し又は省略して1回又は中間焼鈍を挟む2回以上の冷間圧延を行い、次いで脱炭焼鈍を施して鋼板表面にサブスケールを形成させ、更にMgO を主体とする焼鈍分離剤を塗布してから最終仕上焼鈍を施して鋼板表面にフォルステライト質被膜を形成させる一連の工程からなる方向性けい素鋼板の製造方法において、脱炭焼鈍前の鋼板表面に脱珪層を形成させ、この脱珪層につき板厚中心部のSi濃度に対するSi濃度の比を、最終冷延板の状態で鋼板表面から厚み方向1μm までの領域では0.90以下に、かつ該Si濃度の比が0.98以下である領域を表面から厚み方向5μm までに調整すること、及び上記脱炭焼鈍を、その均熱過程における水素分圧に対する水蒸気分圧の比を0.70未満で、かつ昇温過程における水素分圧に対する水蒸気分圧の比を前記の均熱過程よりも低い値で行うことを特徴とする磁気特性及び被膜特性に優れる方向性けい素鋼板の製造方法。
IPC (3件):
C21D 8/12 ,  C21D 9/46 501 ,  H01F 1/16
FI (3件):
C21D 8/12 B ,  C21D 9/46 501 B ,  H01F 1/16 B

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