特許

J-GLOBAL ID：200903096487753885

エピタキシャル層構造及びその製造方法

発明者： ヨン・チェン ,  シー-ユアン・ワング
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153931
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044121
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】格子定数が不一致である基板上に略クラックが無いエピタキシャル材料が成長した層構造及びそれを実現する比較的単純な製造方法を提供する。【解決手段】 エピタキシャル成長層(55)中のクラック(17)を減少させるための製造方法は、第1の材料からなる第1のエピタキシャル層(52)を主要面(63)を有するように成長させる工程と、第1のエピタキシャル層(52)中に、主要面(63)に略垂直な面(56a,56b)を形成する工程と、略垂直な面(56a,56b)はマスキングされない状態にして、第1のエピタキシャル層の主要面(63)にマスク(54)を形成する工程と、略垂直な面(56a,56b)から、第1の材料とは異なる材料からなる第2のエピタキシャル層(55)を横方向に成長させる工程とを含む。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長層中のクラックを減少させる製造方法であって、第1の材料からなる第1のエピタキシャル層を主要面を有するように成長させる工程と、前記第1のエピタキシャル層中に、前記主要面に略垂直な面を形成する工程と、前記略垂直な面はマスキングされない状態にして、前記第1のエピタキシャル層の前記主要面にマスクを形成する工程と、前記略垂直な面から、前記第1の材料とは異なる材料からなる第2のエピタキシャル層を横方向に成長させる工程とを有することを特徴とするエピタキシャル層構造の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343