特許

J-GLOBAL ID：200903096491311110

有機絶縁体組成物、有機絶縁膜、有機薄膜トランジスタおよび電子素子

発明者： 愼 重 漢 ,  李 恩 慶 ,  鄭 銀 貞 ,  金 周 永 ,  文 ▲弦▼ 植 ,  李 相 潤
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-290336
公開番号（公開出願番号）：特開2007-154164
出願日： 2006年10月25日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】フッ素含有のシラン系化合物を用いて有機薄膜トランジスタの電荷移動度およびヒステリシスを改善させ、スレショルド電圧および電荷移動度などの物性を向上させて液晶ディスプレイ、光電変換素子などの各種電子素子の製造に有用に活用することが可能な有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板1、ゲート電極2、有機絶縁膜3、有機半導体層6、およびソース/ドレイン電極4、5を含む有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機絶縁膜3が有機絶縁体組成物から形成されることを特徴とする、有機薄膜トランジスタを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(i)下記化学式1または下記化学式2で表される化合物単独、或いはこれらの混合物または重合体からなるか、下記化学式1または下記化学式2で表される化合物を下記化学式3〜5のいずれか一つで表される化合物と混合または共重合させて得た混合物または共重合体からなるシラン系化合物と、 (ii)有機金属化合物と、 (iii)有機溶媒と、 を含む、有機絶縁体組成物。 R1SiX1X2X3 ・・・(化学式1) R1R2SiX1X2 ・・・(化学式2) (前記化学式1および前記化学式2において、 R1、R2は、それぞれ独立に、炭素原子と共有結合した水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換されたC1〜C20のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアルキル基、ヘテロアリール基、およびヘテロアリールアルキル基よりなる群から選択され、 X1、X2、X3は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、またはC1〜C20のアルコキシ基であって、少なくとも一つは加水分解可能な作用基である。) SiX1X2X3X4 ・・・(化学式3) R3SiX1X2X3 ・・・(化学式4) R3R4SiX1X2 ・・・(化学式5) (前記化学式3〜5において、 R3、R4は、それぞれ独立に、水素原子;置換または非置換のC1〜C20のアルキル基;置換または非置換のC2〜C20のアルケニル基;置換または非置換のC2〜C20のアルキニル基;置換または非置換のC6〜C20のアリール基;置換または非置換のC6〜C20のアリールアルキル基;置換または非置換のC1〜C20のヘテロアルキル基;置換または非置換のC4〜C20のヘテロアリール基;置換または非置換のC4〜C20のヘテロアリールアルキル基よりなる群から選択され、ここで、置換基はアクリル基、アミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルデヒド基、エポキシ基、またはニトリル基であり、 X1、X2、X3、X4は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、またはC1〜C20のアルコキシ基であって、少なくとも一つは加水分解可能な作用基である。)

IPC (10件)：

C08G 79/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/312 ,  H01B 3/46 ,  C09D 5/25 ,  C09D 183/00

FI (11件)：

C08G79/00 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/28 390 ,  H01L21/312 C ,  H01B3/46 D ,  C09D5/25 ,  C09D183/00

Fターム (68件)：

4J030CA02 ,  4J030CB03 ,  4J030CB10 ,  4J030CB13 ,  4J030CB17 ,  4J030CB18 ,  4J030CC10 ,  4J030CC15 ,  4J030CC16 ,  4J030CC21 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CG03 ,  4J030CG04 ,  4J030CG06 ,  4J030CG16 ,  4J038DL051 ,  4J038DL071 ,  4J038GA03 ,  4J038GA06 ,  4J038GA09 ,  4J038GA13 ,  4J038GA14 ,  4J038JC38 ,  4J038KA06 ,  4J038MA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  4J038PC08 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK32 ,  5G305AA11 ,  5G305AB40 ,  5G305BA09 ,  5G305BA18 ,  5G305CA26 ,  5G305CA51 ,  5G305CB27 ,  5G305CD15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,981,970号明細書
  
• 米国特許第6,232,157号明細書