特許
J-GLOBAL ID：200903096491911169
レチクルマスクの作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-145458
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069059
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 アライメントミスによる不良発生の心配がないレチクルマスクの作成方法を提供する。【解決手段】 四辺形の回路パターン領域及びスクライブライン領域を配置したレチクルパターンをもつ原形レチクルマスクを縮小元として縮小パターンレチクルマスクを作成するレチクルマスクの作成方法において、四辺形の回路パターン領域14の2辺にスクライブライン領域16a,bを設けると共に少なくとも残りの1辺にダミースクライブライン領域16c,dを設けたレチクルパターン27をもつ原形レチクルマスクを縮小元にし、前記2辺のスクライブライン領域16a,bのいずれかと前記ダミースクライブライン領域16c,dとを合わせるようにして縮小パターンレチクルマスクの複数の回路パターン領域を作成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
四辺形の回路パターン領域及びスクライブライン領域を配置したレチクルパターンをもつ原形レチクルマスクを縮小元として縮小パターンレチクルマスクを作成するレチクルマスクの作成方法において、四辺形の回路パターン領域の2辺にスクライブライン領域を設けると共に少なくとも残りの1辺にダミースクライブライン領域を設けたレチクルパターンをもつ原形レチクルマスクを縮小元にし、前記2辺のスクライブライン領域のいずれかと前記ダミースクライブライン領域とを合わせるようにして縮小パターンレチクルマスクの複数の回路パターン領域を作成するようにしたことを特徴とするレチクルマスクの作成方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 515 F
審査官引用 (2件)
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特開昭55-135837
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特開昭55-135837
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