特許
J-GLOBAL ID：200903096505841568
薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-347468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204538
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 金属基板上に大粒径多結晶太陽電池を得る方法を提供することである。【構成】 基板101上に絶縁層102を形成し、その上にSi層103を堆積する。このSi層103の表面に高濃度の不純物原子を導入/アニ-ルして結晶粒径を拡大させ、さらに活性ガス雰囲気中でアニ-ルしてSi層103を凝集させて微小Si粒104を得る。その微小Si粒を種結晶として液相成長法により大粒径Si結晶層105を成長させ、その表面に接合107を形成し、透明導電膜106/集電電極108を設ける。
請求項（抜粋）：
薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法であって、金属基体上に絶縁層を堆積する工程と、該絶縁層の表面にSi層を堆積する工程と、該Si層に不純物を導入して不活性ガス雰囲気中で加熱することにより前記Si層中の結晶粒径を拡大させる工程と、活性ガス雰囲気中で加熱することにより前記Si層を凝集させてSi結晶粒を前記絶縁層上に形成する工程と、液相法により高過飽和度で前記Si結晶粒を種結晶として、島状の単結晶Siを成長させる工程と、活性ガス雰囲気中で加熱することにより前記Si結晶粒と前記絶縁層との間で固相反応を促進させて前記金属基体の表面とSi結晶粒の底面とを接触させる工程と、液相法により前記Si結晶粒をさらに結晶成長させて前記絶縁層表面をSi層で覆う工程とを含むことを特徴とする薄膜多結晶Si太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C30B 19/00
, H01L 21/20
