特許

J-GLOBAL ID：200903096506177955

エピタキシャルウエハ製造方法及び装置

発明者： 今井 正人 ,  黛 雅典 ,  中原 信司 ,  井上 和俊
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-194124
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022226
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 大口径の半導体ウエハに適したエピタキシャルウエハ製造方法及び装置の提供、または半導体搬送に伴う汚れや歪み等の問題が生じにくいエピタキシャルウエハ製造方法及び装置の提供、若しくはウエハを成長炉内へ搬入する際の熱による悪影響を少なくしたエピタキシャルウエハ製造方法及び装置の提供。【解決手段】 半導体単結晶から切り出された半導体ウエハをホルダ上に載置する載置工程と、前記ホルダに載置された半導体ウエハを前記ホルダごとエピタキシャル成長炉内に搬入した後、前記ホルダごとエピタキシャル成長炉内の所定位置に設置する搬入工程と、前記半導体ウエハを前記ホルダに載置された状態のままエピタキシャル成長させる成長工程と、前記エピタキシャル成長させた半導体ウエハを前記ホルダごと前記成長炉内の所定位置から取り外した後、前記エピタキシャル成長炉から搬出する搬出工程とを有することを特徴とするエピタキシャルウエハ製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶から切り出された半導体ウエハをホルダ上に載置する載置工程と、前記ホルダに載置された半導体ウエハを前記ホルダごとエピタキシャル成長炉内に搬入した後、前記ホルダごとエピタキシャル成長炉内の所定位置に設置する搬入工程と、前記半導体ウエハを前記ホルダに載置された状態のままエピタキシャル成長させる成長工程と、前記エピタキシャル成長させた半導体ウエハを前記ホルダごと前記成長炉内の所定位置から取り外した後、前記エピタキシャル成長炉から搬出する搬出工程と、を有することを特徴とするエピタキシャルウエハ製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/68 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-132018
  
• 特開平3-132018