特許
J-GLOBAL ID：200903096506887022
半導体集積回路素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244254
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路素子の割れ、欠け、層間剥がれ等の不良半導体集積回路素子の選別を、低コストで効率よく、確実に行う。【構成】 半導体集積回路素子1の表面上の四辺の内周に、クラック検出用の導電体パターン2を配線し、その導電体パターン2の先端部に針あて測定用のパッド3を電気的に接続し、そのパッド3から導電体パターン2の抵抗変動を測定することによって、半導体集積回路素子1の割れ、欠け、層間剥がれ等を容易に、短時間で効率よく検出する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路素子における割れ、欠けや層間剥がれ等を抵抗変動によって検出する導電体を、半導体集積回路素子上に設けたことを特徴とする半導体集積回路素子。
IPC (2件)：
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