特許
J-GLOBAL ID:200903096506928462
フォトダイオード
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石井 康夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-124833
公開番号(公開出願番号):特開平5-183181
出願日: 1991年04月27日
公開日(公表日): 1993年07月23日
要約:
【要約】【目的】 波長多重された光信号を1つのチップで受信することができるフォトダイオードを提供する。【構成】 基板1の上に、半絶縁性の中間層6を挟んでバンド幅の大きい光吸収層4とバンド幅の小さい光吸収層8が設けられ、その一部にそれぞれ不純物拡散領域12,13が形成されている。短い波長の光は、光吸収層8で吸収され、長い波長の光は、光吸収層8を通過して光吸収層4で吸収される。したがって、1つのチップで異なる波長の光を独立の光吸収層で受光することができる。
請求項(抜粋):
バッファ層または中間層を挟むバッファ層の上下にバンド幅の異なる光吸収層を有し、該光吸収層の一部にそれぞれ不純物拡散領域を形成するとともに、バンド幅の大きい光吸収層のある側から光が入射されるように構成したことを特徴とするフォトダイオード。
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