特許

J-GLOBAL ID：200903096507765630

磁気抵抗効果素子およびその製造方法

発明者： 寺口 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-068599
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270244
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 抵抗値が大きくかつ大きな垂直電流磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 [110]方向に傾斜した(001)面からなる化合物半導体基板1上に、非磁性材料と強磁性材料とを交互に供給することにより、非磁性体膜2と強磁性体膜3との人工格子構造を有する磁気抵抗効果膜4を、上記化合物半導体基板1に対してほぼ垂直にエピタキシャル成長させる。これにより、抵抗値が大きくかつ大きな垂直電流磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子を容易に得ることができる。

請求項（抜粋）：

[110]方向に傾斜した(001)面からなる化合物半導体基板と、非磁性体膜および強磁性体膜からなり、かつ、上記化合物半導体基板に対してほぼ垂直な人工格子構造を有する磁気抵抗効果膜とを備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01F 10/00 ,  H01F 41/28 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

H01F 10/00 ,  H01F 41/28 ,  H01L 43/08 Z