特許
J-GLOBAL ID:200903096509844154

半導体ウエハのBT処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 孝雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-223315
公開番号(公開出願番号):特開平6-053301
出願日: 1992年07月29日
公開日(公表日): 1994年02月25日
要約:
【要約】【目的】 絶縁膜上に電極を形成することなくBT処理を行なう。【構成】 2枚の半導体ウエハ100a,100bは吸着板16,30で吸着され、半導体ウエハの互いの主面が所定のギャップ△Gを隔てて向き合う状態で保持される。2枚の半導体ウエハは、加熱板14,26によって加熱されるとともに、直流電源42によって所定の直流バイアスが印加される。
請求項(抜粋):
半導体ウエハのBT処理を行なうBT処理装置であって、2枚の半導体ウエハの互いの主面を、所定のギャップを隔てて向き合わせた状態で保持する半導体ウエハ保持手段と、前記2枚の半導体ウエハを加熱する加熱手段と、前記2枚の半導体ウエハ間に所定の直流電圧を印加する直流電源と、を備えることを特徴とするBT処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/66 ,  G01N 27/00

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