特許

J-GLOBAL ID：200903096510039591

圧電体薄膜素子およびその製造方法

発明者： 田村 博明 ,  長谷川 和正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007677
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208828
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】ゾルゲル法によって圧電体薄膜を基板上に作製する場合、薄膜に働く内部応力によって、所望の結晶配向性を得ることが困難であった。【解決手段】圧電体薄膜に膜厚方向に組成傾斜した領域を設ける。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に下電極を配置し、前記下電極上に圧電体薄膜を配置し、前記圧電体薄膜上に上電極を配置した圧電体薄膜素子において、前記圧電体薄膜が膜厚方向の組成分布を有することを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (5件)：

H01L 41/24 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/17

FI (5件)：

H01L 41/22 A ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/17 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z

Fターム (6件)：

5J108BB04 ,  5J108CC01 ,  5J108FF03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02 ,  5J108MM11